芯片制造工艺流程图解(集成电路的工艺流程图)

今天,将介绍另一个第六届全国专业技术人才先进集体——上海集成电路研发中心有限公司国产设备材料验证和配套工艺开发团队。一起来看看这个集体的卓越之处。

国产设备材料验证和配套工艺开发团队:助力缩短我国集成电路与世界先进水平的差距

上海集成电路研发中心有限公司国产设备材料验证和配套工艺开发团队成立于2002年,现有人员80余名,其中,正高职称3名,博士22名,年度“上海领军人才”2人,享受国务院政府特殊津贴专家2人,上海市劳动模范1人,团队结构合理,专业能力强硬。

该团队建成的12英寸国产工艺设备和材料的第三方公共验证评价平台,以先进工艺带动装备和材料研发评价的方式,帮助国内多家集成电路企业开展各类研究和工艺验证,推动了集成电路关键核心技术的重大战略突破和产业发展水平的整体提升。自2015年以来,该团队所建成的平台已为90nm ArF光刻机、14nm硅刻蚀机等20台国产设备,和ArF光刻胶、铜研磨液、铜电镀液及添加剂等10多种国产材料提供了测试验证和配套工艺开发,半数以上已完成验证并进入大生产线实现量产应用。这些设备和材料主要是面向先进工艺的新研制产品,囊括了国内相关领域主要厂家,代表该领域自主研发的最高水平,助力缩短了我国集成电路与世界先进水平的差距。特别值得一提的是,该团队所建成的平台为国内自主研发的首台90nm工艺ArF光刻机完成工艺测试和产品验证,帮助其实现了国产i-line光刻机的量产应用,极大提振了自主研制国产光刻机的信心。

国产设备材料验证和配套工艺开发团队:助力缩短我国集成电路与世界先进水平的差距

与此同时,该团队完成了12英寸40nm铜互连工艺平台建设和工艺自主开发,并已用于小批量产品加工;完成了14nm FinFET 双重图形化SADP核心工艺研发,沟槽深度、深度均匀性、侧墙角度等各项指标均达到量产工艺要求。这一成果填补了国产高端集成电路设备在先进集成电路工艺制程领域的空白。在光刻胶的开发应用领域,该团队仅用两年就协助完成了国产90nm ArF光刻胶的开发、优化和定型,并通过了寿命测试,综合光刻技术指标匹配甚至略优于商用光刻胶产品,目前已进入大生产线试用,下一步将着力推动55nm ArF浸没式光刻胶、40nm和28nm工艺ArF光刻胶的开发应用。同时,积极与国内光刻胶厂商开展广泛合作,助力国产光刻材料短期内实现跨越式发展。

除此之外,团队依托公司“国家级集成电路高技能人才实训基地”平台,每年提供2000人次以上的高技能人才培训,为国产光刻机装备行业和光刻工艺开发领域培养了大量人才,改善了国内相关领域人才短缺的境况,为中国集成电路产业的高质量发展提供了有力的技术支撑和人才保障。

该团队自成立以来,承担多项国家重大专项项目及课题,多人多次荣获上海市科学技术奖一等奖,累计形成发明专利581项,技术研发成果显著,有力地推进了集成电路设备和材料的国产化进程。

他们也受到了“第六届全国杰出专业技术人才和专业技术人才先进集体”的表彰:

国产设备材料验证和配套工艺开发团队:助力缩短我国集成电路与世界先进水平的差距

编辑:培培

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